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Transistores C3M0120065J TO-263-7 Componente Electrónico Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR512
100-3,099 unidades
EUR257
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

C3M0120065J

Marca

Original

Descripción

MOSFET SIC de 650V y 120M

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-263-7

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
C3M0120065J
Marca
Original
Descripción
MOSFET SIC de 650V y 120M
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-263-7
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Serie
C3M
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
157mOhm @ 6.76A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.6V @ 1.86mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
26 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
640 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
15V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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