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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Principales mercados: Estados Unidos de América, República de Corea, India, Argentina, Líbano

Transistores D2PAK-7L QS120SCM80D2P, Canal de Fabricante de Componentes Electrónicos

Sin reseñas
EUR573
100-3,099 unidades
EUR288
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

QS120SCM80D2P

Marca

Original

Descripción

MOSFET SIC de canal N de 1200 V y 80 M

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

D2PAK-7L

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
D2PAK-7L
Descripción
MOSFET SIC de canal N de 1200 V y 80 M
Número de pieza del fabricante
QS120SCM80D2P
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
60 nC @ 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1001 pF @ 800 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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