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Transistores D3PAK APT1003RSLLG Componentes Electrónicos Originales

Sin reseñas
EUR605
100-3,099 unidades
EUR303
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

APT1003RSLLG

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

D3PAK

Temperatura de funcionamiento

-

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Características clave

Número de pieza del fabricante
APT1003RSLLG
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
D3PAK
Temperatura de funcionamiento
-
Serie
POWER MOS 7
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
3 ohmios a 2 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
694 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
-
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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