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Transistores DMC1017UPD-13 8-PowerTDFN Componentes Electrónicos Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR 0.0702
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

DMC1017UPD-13

Marca

Original

Descripción

MOSFET N/P-CH 12V 13A PWRDI50

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerTDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
DMC1017UPD-13
Marca
Original
Descripción
MOSFET N/P-CH 12V 13A PWRDI50
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
2.3W
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
12V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
13A (Ta), 9.4A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
17mOhm a 11.8A, 4.5V, 32mOhm a 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V
Configuración
N and P-Channel Complementary
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
Complementario de Canales N y P

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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