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Transistores DMT69M9LPDW-13 8-PowerTDFN Componente Electrónico Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR 0.2683
100-3,099 unidades
EUR 0.1385
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

DMT69M9LPDW-13

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 11A PWRDI50

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerTDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
DMT69M9LPDW-13
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 11A PWRDI50
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
2.5W (Ta), 40.3W (Tc)
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 44A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
12.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
33.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2212pF @ 30V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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