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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Transistores EPC2025, Componente Electrónico en Stock

Sin reseñas
EUR 1.47
100-3,099 unidades
EUR 0.7411
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

EPC2025

Marca

Original

Descripción

GANFET N-CH 300V 4A DIE

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Matriz

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
Matriz
Descripción
GANFET N-CH 300V 4A DIE
Número de pieza del fabricante
EPC2025
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
eGaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
300 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
150mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
194 pF @ 240 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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