HuanWing International HongKong Technology Limited

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Transistores, Lista de Componentes Electrónicos, Gran Stock, IQE006NE2LM5CGSCATMA1 PG-WHTFN-9-1

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EUR 0.7117

100-3,099 unidades

EUR 0.3604

≥3,100 unidades

Características

Características principales

Número de Modelo

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Paquete / Caja

PG-WHTFN-9-1

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Características clave

Número de Modelo

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Paquete / Caja

PG-WHTFN-9-1

Descripción

MOSFET de potencia de baja tensión

Embalaje

Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel

Tipo de FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (Óxido Metálico)

Serie

OptiMOS 5

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

1X1X1 cm

Peso bruto

0.1 kg

Tiempo de entrega

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