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Transistores F415MR12W2M1B76BOMA1, Módulo de Chips Electrónicos, Componente Original, Servicio Integral

Sin reseñas
EUR 0.6787
100-3,099 unidades
EUR 0.3438
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

F415MR12W2M1B76BOMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET 4N-CH 1200V 75A AG-EASY1B

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Módulo

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
F415MR12W2M1B76BOMA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET 4N-CH 1200V 75A AG-EASY1B
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
EasyPACK CoolSiC
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
-
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
75A (Tj)
Rds (Max) @ Id Vgs
15mOhm @ 75A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.55V @ 30mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
186nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
5520pF @ 800V
Configuración
4 N-Channel (Full Bridge)
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
Bandeja
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
4 Canales N (Puente Completo)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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