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Transistores GSJT65R220 TO-263 Componentes Electrónicos Distribuidor Autorizado

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100-3,099 unidades
EUR 0.303
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

GSJT65R220

Marca

Original

Descripción

MOSFET, N-CH, SENCILLO, 20.00A, 65

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-263 (D2PAK)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
GSJT65R220
Marca
Original
Descripción
MOSFET, N-CH, SENCILLO, 20.00A, 65
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-263 (D2PAK)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
220mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1718 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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