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Transistores IRF8910GTRPBF 8-SolC, Componentes Electrónicos Originales, Servicio Integral

Sin reseñas
EUR 0.7579
100-3,099 unidades
EUR 0.379
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF8910GTRPBF

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF8910GTRPBF
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
HEXFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
2W
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
10A
Rds (Max) @ Id Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
960pF @ 10V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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