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Transistores IRFHM8363TR2PBF 8-PowerVDFN Componente Electrónico Servicio Integral Original

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EUR 1.07
100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRFHM8363TR2PBF

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerVDFN

Temperatura de funcionamiento

-

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRFHM8363TR2PBF
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento
-
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
2.7W
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
11A
Rds (Max) @ Id Vgs
14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1165pF @ 10V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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