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Transistores IXFN36N100 SOT-227B Componente Electrónico Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR1654
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IXFN36N100

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

SOT-227B

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IXFN36N100
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
SOT-227B
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
HiPerFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
240mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
9200 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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