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Transistors In Stock Electronics Component 8-DFN CGD65B200S2-T13

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Características

CGD65B200S2-T13

Características principales

Número de Modelo

CGD65B200S2-T13

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Package / Case

8-DFN (5x6)

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Características clave

Número de Modelo
CGD65B200S2-T13
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
8-DFN (5x6)
Description
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Package
Cut Tape (CT)
FET Type
-
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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