Transistors MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V S2M0160120K Original Electronic Components Manufacturer Channel TO-247-4
Sin reseñas
Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
S2M0160120KNúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
TO-247-4Package / Case
Description:MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
S2M0160120K
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
TO-247-4
Description
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 293
≥ 3,100 unidades
EUR 147
Variantes
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S2M0160120K
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