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Transistores MSCSM120VR1M11CT6AG, Compre Componentes Electrónicos en Línea, Disponibles en Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

MSCSM120VR1M11CT6AG

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 1200V 251A

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Módulo

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
MSCSM120VR1M11CT6AG
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 251A
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
1.042kW (Tc)
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
251A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
10.4mOhm @ 120A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 9mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
696nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
9000pF @ 1000V
Configuración
2 N Channel (Phase Leg)
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
Tubo
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
2 canales N (pata de fase)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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