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Módulo de Transistores HAS175M12BM3, Compre Componentes Electrónicos en Línea, BOM IC en Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

HAS175M12BM3

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 1200V 175A

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

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-

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Características clave

Número de pieza del fabricante
HAS175M12BM3
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 175A
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo
Temperatura de funcionamiento
-
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
-
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
175A
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
A granel
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
2 Canales N (Medio Puente)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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