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Módulo de Transistores NXH600N65L4Q2F2PG, Componentes Electrónicos, BOM, IC, en Stock

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NXH600N65L4Q2F2PG

Marca

Original

Descripción

MÓDULO INTEGRADO DE POTENCIA (PIM), I

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Módulo

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NXH600N65L4Q2F2PG
Marca
Original
Descripción
MÓDULO INTEGRADO DE POTENCIA (PIM), I
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Corriente de colector (Ic) (máx.)
483 A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
650 V
Corriente de colector de corte (Max)
100 µA
Poder-Max
931 W
Tipo IGBT de
Trench Field Stop
Configuración
Tres nivel inversor
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
37100 pF @ 20 V
De entrada
Standard
Termistor NTC
Sí
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
A granel
Tipo de IGBT
Parada de campo de trinchera
Configuración
Inversor de Tres Niveles
Corriente - Colector (Ic) (Máx)
483 A
Potencia - Máx.
931 W
Entrada
Estándar

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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