Transistors NVVR26A120M1WSB 15-PowerDIP Module Electronic Circuit Components Original One Stop Service
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Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
NVVR26A120M1WSBNúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)Package / Case
Description:MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
Package:Tube
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:2 N-Channel (Half Bridge)
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
NVVR26A120M1WSB
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Description
MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
Package
Tube
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 32614
>= 3,100 unidades
EUR 16307
Variantes
ElegirCaracterísticas
NVVR26A120M1WSB
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