Transistors NVXK2TR80WDT 32-PowerDIP Module Components Electronic Authorized Distributor
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Atributos
NVXK2TR80WDTNúmero de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm)Package / Case
Description:MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32
Package:Tube
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:4 N-Channel (Half Bridge)
Características clave
Número de Modelo
NVXK2TR80WDT
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm)
Description
MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32
Package
Tube
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
4 N-Channel (Half Bridge)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 3111
>= 3,100 unidades
EUR 1556
Variantes
ElegirCaracterísticas
NVXK2TR80WDT
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