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Transistors Online Electronics Components Shopping BOM IC In Stock 4-DFN-EP (8x8) TW123V65C,LQ N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.123 OH

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Atributos

TW123V65C,LQNúmero de Modelo
Montaje superficialTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
4-DFN-EP (8x8)Package / Case
Description:N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.123 OH
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Características clave

Número de Modelo
TW123V65C,LQ
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
4-DFN-EP (8x8)
Description
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.123 OH
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

100 - 3,099 unidades
EUR 702
>= 3,100 unidades
EUR 352

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Características

TW123V65C,LQ

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