Transistors Original Electronics Component SCTWA10N120 HiP247 Long Leads IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Puntuación de la tienda:
4.7
(4 reseñas)
Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
SCTWA10N120Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
HiP247 Long LeadsPackage / Case
Description:IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
SCTWA10N120
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
HiP247 Long Leads
Description
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 507
>= 3,100 unidades
EUR 254
Variantes
ElegirCaracterísticas
SCTWA10N120
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