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Transistores PD20010STR-E PowerSO-10RF con Base Expuesta, Componentes Electrónicos en Stock

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

PD20010STR-E

Marca

Original

Descripción

RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerSO-10RF con almohadilla inferior expuesta (2 patillas rectas)

Serie

-

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Características clave

Número de pieza del fabricante
PD20010STR-E
Marca
Original
Descripción
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerSO-10RF con almohadilla inferior expuesta (2 patillas rectas)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
-Frecuencia de transición
2GHz
Corriente nominal (en amperios)
5A
Potencia de salida
10W
-Tensión nominal
40 V
Configuración
-
Tipo de montaje
Standard
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)
Tecnología
LDMOS
Configuración
-
Frecuencia
2GHz
Ganancia
11dB

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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