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Transistores PG-HSOF-8-1 IPT014N10N5ATMA1 Comprar Componentes Electrónicos en Línea BOM IC en Stock

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Número de pieza del fabricante

IPT014N10N5ATMA1

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Original

Descripción

TRENCH >=100V

Lugar del origen

China

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PG-HSOF-8-1

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-

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IPT014N10N5ATMA1
Marca
Original
Descripción
TRENCH >=100V
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-HSOF-8-1
Temperatura de funcionamiento
-
Serie
OptiMOS
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
-
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
362A
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
-
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
-
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

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Artículo individual
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1X1X1 cm
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