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Transistors PG-HSOF-8-3 IGT65R055D2ATMA1 Buy Electronics Components Online BOM IC In Stock

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Características

IGT65R055D2ATMA1

Características principales

Número de Modelo

IGT65R055D2ATMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Package / Case

PG-HSOF-8-3

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Características clave

Número de Modelo
IGT65R055D2ATMA1
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-HSOF-8-3
Description
IGT65R055D2ATMA1
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

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