Transistors PG-HSOF-8 IGT65R035D2ATMA1 Components Electronic In Stock
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Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
IGT65R035D2ATMA1Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
PG-HSOF-8Package / Case
Description:HV GAN DISCRETES
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:GaNFET (Gallium Nitride)
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
IGT65R035D2ATMA1
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
PG-HSOF-8
Description
HV GAN DISCRETES
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 924
>= 3,100 unidades
EUR 462
Variantes
ElegirCaracterísticas
IGT65R035D2ATMA1
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