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Transistors PG-TO263-7-12 In Stock IMBG120R140M1HXTMA1 Buy Online Electronic Components

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EUR4
100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades
Características

Características principales

Número de Modelo

IMBG120R140M1HXTMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Package / Case

PG-TO263-7-12

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Características clave

Número de Modelo
IMBG120R140M1HXTMA1
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-TO263-7-12
Description
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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Descripción de producto del proveedor