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Transistores PJQ5850-AU_R2_000A1 8-PowerTDFN, Chips Electrónicos, Componente BOM IC, en Stock

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

PJQ5850-AU_R2_000A1

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 40V 5A 8DFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerTDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
PJQ5850-AU_R2_000A1
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8DFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
2W (Ta), 14.4W (Tc)
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
5A (Ta), 14A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
33mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
4.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
425pF @ 25V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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