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Transistores PowerPAK SO-8 Dual SI7946DP-T1-GE3 Componentes Electrónicos En Stock

Sin reseñas
EUR 0.6862
100-3,099 unidades
EUR 0.3476
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SI7946DP-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerPAK SO-8 Dual

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SI7946DP-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerPAK SO-8 Dual
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
1.4W
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
150V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
2.1A
Rds (Max) @ Id Vgs
150 miliohmios a 3,3 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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