Transistors RF MOSFET GAN 48V 6DFN Ic Electronic Components BOM IC In Stock 6-LDFN Exposed Pad A5G35H110NT4
Transistors RF MOSFET GAN 48V 6DFN Ic Electronic Components BOM IC In Stock 6-LDFN Exposed Pad A5G35H110NT4Sin reseñas
Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
A5G35H110NT4Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
6-LDFN Exposed PadPackage / Case
Description:RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Package:Tape & Reel (TR)
Technology:GaN
Configuration:-
Frequency:3.3GHz ~ 3.7GHz
Gain:15.3dB
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
A5G35H110NT4
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
6-LDFN Exposed Pad
Description
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Package
Tape & Reel (TR)
Technology
GaN
Configuration
-
Frequency
3.3GHz ~ 3.7GHz
Gain
15.3dB
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Devolución fácil
100 - 3,099 unidades
EUR 1302
>= 3,100 unidades
EUR 652
Variantes
ElegirCaracterísticas
A5G35H110NT4
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