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Transistores TO-252 FQD17N08LTF Comprar Componentes Electrónicos en Línea En Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

FQD17N08LTF

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-252 (DPAK)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
FQD17N08LTF
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-252 (DPAK)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
QFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
80 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
12.9A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
100mOhm @ 6.45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
520 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
A granel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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