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Transistores TO-263S R8002ANJGTL, Compre Componentes Electrónicos en Línea, Canal del Fabricante

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100-3,099 unidades
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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

R8002ANJGTL

Marca

Original

Descripción

MOSFET de potencia NCH 800V 2A: R8002

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-263S

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
R8002ANJGTL
Marca
Original
Descripción
MOSFET de potencia NCH 800V 2A: R8002
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-263S
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
800 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
250 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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