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Transistores TO-268 IXFT140N10P-TRL Componentes Electrónicos BOM IC En Stock

Sin reseñas
EUR376
100-3,099 unidades
EUR188
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IXFT140N10P-TRL

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 100V 140A TO268

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-268

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IXFT140N10P-TRL
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-268
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
HiPerFET, Polar
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
140A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
11mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
4700 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V, 15V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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