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Unijunction Transistor TO-5 Paquete Disparador Dispositivo Oscilador Circuito 2N2646

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Atributos

2N2646Número de Modelo
IGBT TransistorTipo
originalMarca
-Tipo de paquete
EstándarDescripción
originalLugar del origen
PAQUETE/cubierta:Estándar
Temperatura de funcionamiento:-
Serie:-
d/c:-
Uso:-
Referencia cruzada:-
Corriente de colector (Ic) (máx.):-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:-
Corriente de colector de corte (Max):-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:-
Poder-Max:-
-Frecuencia de transición:-
Tipo de Montaje:-
Resistencia Base (R1):-
Resistencia-emisor Base (R2):-
FET tipo:-
FET característica:-
Tensión de drenador a fuente (Vdss):-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:-
Rds (Max) @ Id Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:-
Frecuencia:-
Corriente nominal (en amperios):-
Ruido:-
Potencia de salida:-
-Tensión nominal:-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):-
Vgs (Max):-
Tipo IGBT de:-
Configuración:-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:-
De entrada:-
Termistor NTC:-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):-
Corriente de drenaje (Id).:-
-Tensión de corte (VGS) @ Id:-
Resistencia-On (RDS):-
Tensión de salida-salida:-
-Tensión Offset (Vt):-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):-
Corriente de Valle Iv):-
Corriente de pico:-
Tipo de Transistor:-
Tipo de montaje:-
Calidad:Alta calidad
Condición:100% nuevo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:10X20X5 cm
Peso bruto:0.500 kg

Características clave

Número de Modelo
2N2646
Tipo
IGBT Transistor
Marca
original
Tipo de paquete
-
Descripción
Estándar
Lugar del origen
original
PAQUETE/cubierta
Estándar
Temperatura de funcionamiento
-
Serie
-
d/c
-
Uso
-
Referencia cruzada
-
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Tipo de Montaje
-
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
-
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
-
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Tipo de Transistor
-
Tipo de montaje
-
Calidad
Alta calidad
Condición
100% nuevo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
10X20X5 cm
Peso bruto
0.500 kg

Tiempo de entrega

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