Atributos
originalMarca
W25Q32JVSSIQ,W25Q64JVSSIQ,W25Q128JVSIQ,W25Q256JVEIQ, W25Q16JVSSIQ, W25Q16JVSNIQ, W25Q128FVSIG, W25Q128JVPIQNúmero de Modelo
-Tipo
montaje en superficieTipo de montaje
NINGUNOCódigo de fecha de fabricación
-Velocidad de datos
Tamaño de la memoria:16Mb-256Mb
Lugar del origen:Seoul, South Korea
Descripción:MEMORIA FLASH SERIE 3V
Tipo de embajaje:Bandeja/Cinta en Bobina
Función:MEMORIA FLASH SERIE 3V CON DUAL/QUAD SPI
Aplicación:IoT, Comunicación, Robots, Aeroespacial
Temperatura de funcionamiento:-40°-85°, -40°-105°
PAQUETE/cubierta:SOIC-8 150 mil, SOIC-8 208 mil, SOIC-16 300 mil, TFBGA 8*6, WLCSP 24 bolas, WSON8
Serie:Memoria, FLASH, SPI
Características:destello
Referencia cruzada:NINGUNO
Química de la batería:-
Tipo de memoria:NOR Flash
Interfaz de la memoria:-
Corriente de alimentación (Max):3,6 voltios
La tecnología:-
-Tensión de alimentación:2,7 V-3,6 V
Tipo de expansión:-
Autobús direccional:NINGUNO
Frecuencia de reloj:532 megahercios
Organización de la memoria:32X8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Unidades de venta:Artículo individual
