Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO
-Tensión de alimentación:2,3 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:80 megahercios
Organización de la memoria:1M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:800 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
