Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:25 segundos
Interfaz de Memoria:-
