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W66AP6NBQAFJ 200 TFBGA Memoria, Compre Componentes Electrónicos en Línea, Servicio Original Integral

Sin reseñas
EUR213
1-3,000 unidades
EUR107
≥3,001 unidades

Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

W66AP6NBQAFJ

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
W66AP6NBQAFJ
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 105°C (TC)
PAQUETE/cubierta
200-TFBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
1.6 GHz
Organización de la memoria
64M x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18ns
Interfaz de memoria
LVSTL_11
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores