Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:PSRAM (Pseudo SRAM)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:250 megahercios
Organización de la memoria:32M x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:35 segundos
Interfaz de Memoria:Autobús hipersónico
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
