Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR2
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:32M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:-
