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Componentes Electrónicos de Circuito de Memoria W97AH6NBVA1E 134 VFBGA Originales

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Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR2-S4B móvil
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
533 megahercios
Organización de la memoria
64M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
número de escuela_12

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
168 - 3167 unidades
EUR 1.48
>= 3168 unidades
EUR 0.7366

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