


Atributos
FGH60N60SMDNúmero de Modelo
IGBT TransistorTipo
Origianl BrandMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
FGH60N60SMDDescripción
Hong Kong S.A.R.Lugar del origen
PAQUETE/cubierta:standard
Temperatura de funcionamiento:-50°C ~ 150°C
d/c:Newest
Uso:Frequency Converters
Tipo de Proveedor:Fabricante original, ODM, Agencia
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Tipo de Montaje:A través del agujero
Tipo de montaje:Through Hole
Mounting Style:Through Hole
Package / Case::TO-3PL
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:250 V
Collector- Base Voltage VCBO:250 V
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV














