Atributos
PXN020-100QSJNúmero de Modelo
MOSFETTipo
NewMarca
Montaje superficialTipo de paquete
Canal N 100 V 31A 37W Montaje en Superficie MLPAK33Descripción
JapanLugar del origen
PAQUETE/cubierta:paquete de aprendizaje 33
Temperatura de funcionamiento:-
Serie:transistor MOSFET
d/c:Nuevo
Uso:transistor MOSFET
Tipo de Proveedor:Minorista, ODM, Otros
Los medios disponibles:Hoja de Datos
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:-
Corriente de colector de corte (Max):37 semanas
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:-
Poder-Max:37 semanas
-Frecuencia de transición:no aplicable
Tipo de Montaje:Montaje superficial
Resistencia Base (R1):no
Resistencia-emisor Base (R2):no
FET tipo:transistor MOSFET
FET característica:Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):no aplicable
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:no aplicable
Rds (Max) @ Id Vgs:no aplicable
Vgs (th) (Max) @ Id:no aplicable
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:no aplicable
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):no aplicable
Frecuencia:no aplicable
Corriente nominal (en amperios):no aplicable
Ruido:no aplicable
Potencia de salida:no aplicable
-Tensión nominal:no aplicable
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):no aplicable
Vgs (Max):no aplicable
Tipo IGBT de:no aplicable
Configuración:No aplicable
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:no aplicable
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:no aplicable
De entrada:no aplicable
Termistor NTC:no aplicable
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):no aplicable
Corriente de drenaje (Id).:no aplicable
-Tensión de corte (VGS) @ Id:no aplicable
Resistencia-On (RDS):no aplicable
Tensión de salida-salida:no aplicable
-Tensión Offset (Vt):no aplicable
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):no aplicable
Corriente de Valle Iv):no aplicable
Corriente de pico:no aplicable
Tipo de montaje:Montaje superficial
