Circuito Integrado IC, MOSFET de Canal N, 100V, 37W, 31A, Montaje Superficial MLPAK33, PXN020-100QSJ
Puntuación de la tienda:
4.9
(421 reseñas)
Atributos
MOSFETTipo
MOSFETUso
Montaje superficialTipo de paquete
Montaje superficialTipo de montaje
EstándarFET característica
No aplicableConfiguración
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Tipo de Proveedor:Minorista, ODM, Other
Poder-Max:37w
PAQUETE/cubierta:MLPAK33
Descripción:N-Channel 100 V 31A 37W Surface Mount MLPAK33
Número de pieza del fabricante:PXN020-100QSJ
Marca:New
Lugar del origen:Japan
Temperatura de funcionamiento:-
Serie:MOSFET
Código de fecha de fabricación:New
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:-
Corriente de colector de corte (Max):37w
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:-
-Frecuencia de transición:NA
Resistencia Base (R1):na
Resistencia-emisor Base (R2):na
FET tipo:MOSFET
Tensión de drenador a fuente (Vdss):NA
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:NA
Rds (Max) @ Id Vgs:NA
Vgs (th) (Max) @ Id:NA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:NA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):NA
Frecuencia:NA
Corriente nominal (en amperios):NA
Ruido:NA
Potencia de salida:NA
-Tensión nominal:NA
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):NA
Vgs (Max):NA
Tipo IGBT de:NA
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:NA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:NA
De entrada:NA
Termistor NTC:NA
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):NA
Corriente de drenaje (Id).:NA
-Tensión de corte (VGS) @ Id:NA
Resistencia-On (RDS):NA
Tensión de salida-salida:NA
-Tensión Offset (Vt):NA
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):NA
Corriente de Valle Iv):NA
Corriente de pico:NA
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
MOSFET
Tipo de paquete
Montaje superficial
Tipo de montaje
Montaje superficial
FET característica
Estándar
Configuración
No aplicable
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tipo de Proveedor
Minorista, ODM, Other
Poder-Max
37w
PAQUETE/cubierta
MLPAK33
Descripción
N-Channel 100 V 31A 37W Surface Mount MLPAK33
Número de pieza del fabricante
PXN020-100QSJ
Marca
New
Lugar del origen
Japan
Temperatura de funcionamiento
-
Serie
MOSFET
Código de fecha de fabricación
New
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
37w
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
-Frecuencia de transición
NA
Resistencia Base (R1)
na
Resistencia-emisor Base (R2)
na
FET tipo
MOSFET
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
NA
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
NA
Rds (Max) @ Id Vgs
NA
Vgs (th) (Max) @ Id
NA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
NA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
NA
Frecuencia
NA
Corriente nominal (en amperios)
NA
Ruido
NA
Potencia de salida
NA
-Tensión nominal
NA
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
NA
Vgs (Max)
NA
Tipo IGBT de
NA
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
NA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
NA
De entrada
NA
Termistor NTC
NA
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
NA
Corriente de drenaje (Id).
NA
-Tensión de corte (VGS) @ Id
NA
Resistencia-On (RDS)
NA
Tensión de salida-salida
NA
-Tensión Offset (Vt)
NA
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
NA
Corriente de Valle Iv)
NA
Corriente de pico
NA
Tipo de montaje
Montaje superficial
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
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PXN020-100QSJ
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