Circuito integrado IC Matriz de transistores 30V 6A, 4.3A 2,78 W Montaje en superficie 8-SOIC
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Atributos
MOSFETTipo
MOSFETUso
Montaje superficialTipo de paquete
Montaje superficialTipo de Montaje
EstándarFET característica
No aplicableConfiguración
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Tipo de Proveedor:Minorista, ODM, Otros
Poder-Max:2,78 W
PAQUETE/cubierta:8-SOIC
Descripción:Montaje superficial 8-SOIC 30V 6A, 4.3A 2,78 W
Número de Modelo:SI4532CDY-T1-GE3
Marca:New
Lugar del origen:Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie:MOSFET
d/c:Nuevo
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):30V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:47mOhm @ 3.5A, 10V
Corriente de colector de corte (Max):2,78 W
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:47mOhm @ 3.5A, 10V
-Frecuencia de transición:NA
Resistencia Base (R1):Na
Resistencia-emisor Base (R2):Na
FET tipo:MOSFET
Tensión de drenador a fuente (Vdss):305pF @ 15V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:3V @ 250uA
Rds (Max) @ Id Vgs:47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:47mOhm @ 3.5A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):47mOhm @ 3.5A, 10V
Frecuencia:47mOhm @ 3.5A, 10V
Corriente nominal (en amperios):2,78 W
Ruido:NA
Potencia de salida:47mOhm @ 3.5A, 10V
-Tensión nominal:Canal N y P
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):NA
Vgs (Max):47mOhm @ 3.5A, 10V
Tipo IGBT de:Canal N y P
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:NA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:NA
De entrada:NA
Termistor NTC:NA
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):NA
Corriente de drenaje (Id).:NA
-Tensión de corte (VGS) @ Id:NA
Resistencia-On (RDS):NA
Tensión de salida-salida:NA
-Tensión Offset (Vt):NA
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):NA
Corriente de Valle Iv):NA
Corriente de pico:NA
Tipo de montaje:Montaje superficial
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
MOSFET
Tipo de paquete
Montaje superficial
Tipo de Montaje
Montaje superficial
FET característica
Estándar
Configuración
No aplicable
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tipo de Proveedor
Minorista, ODM, Otros
Poder-Max
2,78 W
PAQUETE/cubierta
8-SOIC
Descripción
Montaje superficial 8-SOIC 30V 6A, 4.3A 2,78 W
-Frecuencia de transición
NA
-Tensión Offset (Vt)
NA
-Tensión de corte (VGS) @ Id
NA
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
NA
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
30V
-Tensión nominal
Canal N y P
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
NA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
NA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
47mOhm @ 3.5A, 10V
Corriente de Valle Iv)
NA
Corriente de colector de corte (Max)
2,78 W
Corriente de drenaje (Id).
NA
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3V @ 250uA
Corriente de pico
NA
Corriente nominal (en amperios)
2,78 W
De entrada
NA
FET tipo
MOSFET
Frecuencia
47mOhm @ 3.5A, 10V
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
47mOhm @ 3.5A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Lugar del origen
Guangdong, China
Marca
New
Número de Modelo
SI4532CDY-T1-GE3
Potencia de salida
47mOhm @ 3.5A, 10V
Rds (Max) @ Id Vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Resistencia Base (R1)
Na
Resistencia-On (RDS)
NA
Resistencia-emisor Base (R2)
Na
Ruido
NA
Serie
MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
305pF @ 15V
Tensión de salida-salida
NA
Termistor NTC
NA
Tipo IGBT de
Canal N y P
Tipo de montaje
Montaje superficial
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
NA
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
NA
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (Max)
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
47mOhm @ 3.5A, 10V
d/c
Nuevo
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