Circuito integrado IC Matriz de transistores 30V 6A, 4.3A 2,78 W Montaje en superficie 8-SOIC
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Atributos
SI4532CDY-T1-GE3Número de Modelo
MOSFETTipo
NewMarca
Montaje superficialTipo de paquete
Montaje superficial 8-SOIC 30V 6A, 4.3A 2,78 WDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:8-SOIC
Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie:MOSFET
d/c:Nuevo
Uso:MOSFET
Tipo de Proveedor:Minorista, ODM, Otros
Los medios disponibles:Hoja de Datos
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):30V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:47mOhm @ 3.5A, 10V
Corriente de colector de corte (Max):2,78 W
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:47mOhm @ 3.5A, 10V
Poder-Max:2,78 W
-Frecuencia de transición:NA
Tipo de Montaje:Montaje superficial
Resistencia Base (R1):Na
Resistencia-emisor Base (R2):Na
FET tipo:MOSFET
FET característica:Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):305pF @ 15V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:3V @ 250uA
Rds (Max) @ Id Vgs:47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:47mOhm @ 3.5A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):47mOhm @ 3.5A, 10V
Frecuencia:47mOhm @ 3.5A, 10V
Corriente nominal (en amperios):2,78 W
Ruido:NA
Potencia de salida:47mOhm @ 3.5A, 10V
-Tensión nominal:Canal N y P
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):NA
Vgs (Max):47mOhm @ 3.5A, 10V
Tipo IGBT de:Canal N y P
Configuración:No aplicable
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:NA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:NA
De entrada:NA
Termistor NTC:NA
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):NA
Corriente de drenaje (Id).:NA
-Tensión de corte (VGS) @ Id:NA
Resistencia-On (RDS):NA
Tensión de salida-salida:NA
-Tensión Offset (Vt):NA
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):NA
Corriente de Valle Iv):NA
Corriente de pico:NA
Tipo de montaje:Montaje superficial
Características clave
Número de Modelo
SI4532CDY-T1-GE3
Tipo
MOSFET
Marca
New
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
Montaje superficial 8-SOIC 30V 6A, 4.3A 2,78 W
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie
MOSFET
d/c
Nuevo
Uso
MOSFET
Tipo de Proveedor
Minorista, ODM, Otros
Los medios disponibles
Hoja de Datos
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
30V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
47mOhm @ 3.5A, 10V
Corriente de colector de corte (Max)
2,78 W
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
47mOhm @ 3.5A, 10V
Poder-Max
2,78 W
-Frecuencia de transición
NA
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
Na
Resistencia-emisor Base (R2)
Na
FET tipo
MOSFET
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
305pF @ 15V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3V @ 250uA
Rds (Max) @ Id Vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
47mOhm @ 3.5A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
47mOhm @ 3.5A, 10V
Frecuencia
47mOhm @ 3.5A, 10V
Corriente nominal (en amperios)
2,78 W
Ruido
NA
Potencia de salida
47mOhm @ 3.5A, 10V
-Tensión nominal
Canal N y P
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
NA
Vgs (Max)
47mOhm @ 3.5A, 10V
Tipo IGBT de
Canal N y P
Configuración
No aplicable
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
NA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
NA
De entrada
NA
Termistor NTC
NA
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
NA
Corriente de drenaje (Id).
NA
-Tensión de corte (VGS) @ Id
NA
Resistencia-On (RDS)
NA
Tensión de salida-salida
NA
-Tensión Offset (Vt)
NA
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
NA
Corriente de Valle Iv)
NA
Corriente de pico
NA
Tipo de montaje
Montaje superficial
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