Componente electrónico original IRFS4115TRLPBF MOSFET, 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
Sin reseñas
Atributos
MOSFETTipo
estándarUso
Carrete, Cinta CortadaTipo de paquete
SMD/SMT de superficieTipo de montaje
OtrosLos medios disponibles
Fabricante originalTipo de Proveedor
Número de pieza del fabricante:IRFS4115TRLPBF
Marca:original
Descripción:MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
Lugar del origen:original
PAQUETE/cubierta:PARA-263-3, D2PAK-3ª
Temperatura de funcionamiento:- 55°C-+ 175°C
Serie:estándar
Código de fecha de fabricación:estándar
Referencia cruzada:estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.):estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:estándar
Corriente de colector de corte (Max):estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:estándar
Poder-Max:375 vatios
Resistencia Base (R1):estándar
Resistencia-emisor Base (R2):estándar
FET tipo:1 canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):150 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:99 A
Rds (Max) @ Id Vgs:12,1 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id:5 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:120 nCés
Vgs (Max):20 voltios
Tipo IGBT de:1 Canal N
Tipo de Transistor:1 Canal N
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
estándar
Tipo de paquete
Carrete, Cinta Cortada
Tipo de montaje
SMD/SMT de superficie
Los medios disponibles
Otros
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Poder-Max
375 vatios
PAQUETE/cubierta
PARA-263-3, D2PAK-3ª
Descripción
MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
Número de pieza del fabricante
IRFS4115TRLPBF
Marca
original
Lugar del origen
original
Temperatura de funcionamiento
- 55°C-+ 175°C
Serie
estándar
Código de fecha de fabricación
estándar
Referencia cruzada
estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Corriente de colector de corte (Max)
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
FET tipo
1 canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
150 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
99 A
Rds (Max) @ Id Vgs
12,1 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id
5 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
120 nCés
Vgs (Max)
20 voltios
Tipo IGBT de
1 Canal N
Tipo de Transistor
1 Canal N
Tipo de montaje
Montaje superficial
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 9 unidades
EUR 3.29
10 - 499 unidades
EUR 2.16
500 - 999 unidades
EUR 1.47
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EUR 0.8171
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