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Convertidor de Señal Universal Z109REG2-1 Marca SN, Aislador de Separación Galáctica, Entrada 4-20mA PT100 TC, Salida 0-10V, Montaje en Riel DIN - Product Image 1

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EUR 340.93

MOQ: 1

Nuevo y Original PSMN2R4-30YLD (MOSFET) Canal N 30V 100A (Tc) 106W (Tc) Tipo SC-100/SOT-669 Power-SO8 para USA Inc. - Product Image 1

Nuevo y Original PSMN2R4-30YLD (MOSFET) Canal N 30V 100A (Tc) 106W (Tc) Tipo SC-100/SOT-669 Power-SO8 para USA Inc. - Product Image 2

Nuevo y Original PSMN2R4-30YLD (MOSFET) Canal N 30V 100A (Tc) 106W (Tc) Tipo SC-100/SOT-669 Power-SO8 para USA Inc. - Product Image 3

Nuevo y Original PSMN2R4-30YLD (MOSFET) Canal N 30V 100A (Tc) 106W (Tc) Tipo SC-100/SOT-669 Power-SO8 para USA Inc. - Product Image 4

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Nuevo y Original PSMN2R4-30YLD (MOSFET) Canal N 30V 100A (Tc) 106W (Tc) Tipo SC-100/SOT-669 Power-SO8 para USA Inc.

EUR 0.1312-0.1749

MOQ: 1

Nuevo Original 106 canal N 30 V 100A (Tc) W (Tc) montaje en superficie LFPAK56, componentes electrónicos de la Power-SO8 - Product Image 1

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Nuevo Original 106 canal N 30 V 100A (Tc) W (Tc) montaje en superficie LFPAK56, componentes electrónicos de la Power-SO8 - Product Image 4

Nuevo Original 106 canal N 30 V 100A (Tc) W (Tc) montaje en superficie LFPAK56, componentes electrónicos de la Power-SO8 - Product Image 5

Nuevo Original 106 canal N 30 V 100A (Tc) W (Tc) montaje en superficie LFPAK56, componentes electrónicos de la Power-SO8 - Product Image 6

Nuevo Original 106 canal N 30 V 100A (Tc) W (Tc) montaje en superficie LFPAK56, componentes electrónicos de la Power-SO8

EUR 0.1312-0.1749

MOQ: 1

Nuevos transistores de resistencia C3M0065100K originales SiC 247 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO--4 diodos FET - Product Image 1

Nuevos transistores de resistencia C3M0065100K originales SiC 247 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO--4 diodos FET - Product Image 2

Nuevos transistores de resistencia C3M0065100K originales SiC 247 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO--4 diodos FET - Product Image 3

Nuevos transistores de resistencia C3M0065100K originales SiC 247 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO--4 diodos FET - Product Image 4

Nuevos transistores de resistencia C3M0065100K originales SiC 247 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO--4 diodos FET - Product Image 5

Nuevos transistores de resistencia C3M0065100K originales SiC 247 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO--4 diodos FET - Product Image 6

Nuevos transistores de resistencia C3M0065100K originales SiC 247 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO--4 diodos FET

EUR 8.75

MOQ: 1

Nuevo Original SMPS Mosfet International Rectifier IRFP460A VDSS 500V Transistor - Product Image 1

Nuevo Original SMPS Mosfet International Rectifier IRFP460A VDSS 500V Transistor - Product Image 2

Nuevo Original SMPS Mosfet International Rectifier IRFP460A VDSS 500V Transistor - Product Image 3

Nuevo Original SMPS Mosfet International Rectifier IRFP460A VDSS 500V Transistor - Product Image 4

Nuevo Original SMPS Mosfet International Rectifier IRFP460A VDSS 500V Transistor - Product Image 5

Nuevo Original SMPS Mosfet International Rectifier IRFP460A VDSS 500V Transistor - Product Image 6

Nuevo Original SMPS Mosfet International Rectifier IRFP460A VDSS 500V Transistor

EUR 1.02

MOQ: 10

Módulo MOSFET SiC de Pérdida Ultrabaja C3M0015065K, Transistores Industriales de Alta Eficiencia y Baja Resistencia en Estado Encendido - Product Image 1

Módulo MOSFET SiC de Pérdida Ultrabaja C3M0015065K, Transistores Industriales de Alta Eficiencia y Baja Resistencia en Estado Encendido - Product Image 2

Módulo MOSFET SiC de Pérdida Ultrabaja C3M0015065K, Transistores Industriales de Alta Eficiencia y Baja Resistencia en Estado Encendido - Product Image 3

Módulo MOSFET SiC de Pérdida Ultrabaja C3M0015065K, Transistores Industriales de Alta Eficiencia y Baja Resistencia en Estado Encendido - Product Image 4

Módulo MOSFET SiC de Pérdida Ultrabaja C3M0015065K, Transistores Industriales de Alta Eficiencia y Baja Resistencia en Estado Encendido - Product Image 5

Módulo MOSFET SiC de Pérdida Ultrabaja C3M0015065K, Transistores Industriales de Alta Eficiencia y Baja Resistencia en Estado Encendido - Product Image 6

Módulo MOSFET SiC de Pérdida Ultrabaja C3M0015065K, Transistores Industriales de Alta Eficiencia y Baja Resistencia en Estado Encendido

EUR 11.37

MOQ: 1

Nuevo Transistor MOSFET de Carburo de Silicio Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, Tipo Through Hole, FET Individual - Product Image 1

Nuevo Transistor MOSFET de Carburo de Silicio Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, Tipo Through Hole, FET Individual - Product Image 2

Nuevo Transistor MOSFET de Carburo de Silicio Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, Tipo Through Hole, FET Individual - Product Image 3

Nuevo Transistor MOSFET de Carburo de Silicio Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, Tipo Through Hole, FET Individual - Product Image 4

Nuevo Transistor MOSFET de Carburo de Silicio Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, Tipo Through Hole, FET Individual - Product Image 5

Nuevo Transistor MOSFET de Carburo de Silicio Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, Tipo Through Hole, FET Individual - Product Image 6

Nuevo Transistor MOSFET de Carburo de Silicio Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, Tipo Through Hole, FET Individual

EUR 0.4371-1.14

MOQ: 1

MOSFET Industrial de Carburo de Silicio (SiC) Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, -55C~175C, 113.5W, FET Individual - Product Image 1

MOSFET Industrial de Carburo de Silicio (SiC) Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, -55C~175C, 113.5W, FET Individual - Product Image 2

MOSFET Industrial de Carburo de Silicio (SiC) Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, -55C~175C, 113.5W, FET Individual - Product Image 3

MOSFET Industrial de Carburo de Silicio (SiC) Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, -55C~175C, 113.5W, FET Individual - Product Image 4

MOSFET Industrial de Carburo de Silicio (SiC) Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, -55C~175C, 113.5W, FET Individual - Product Image 5

MOSFET Industrial de Carburo de Silicio (SiC) Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, -55C~175C, 113.5W, FET Individual - Product Image 6

MOSFET Industrial de Carburo de Silicio (SiC) Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, -55C~175C, 113.5W, FET Individual

EUR 0.4371-1.14

MOQ: 1