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SLESD5341N nuevo y original, transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), a estrenar y original - Product Image 1

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SLESD5341N nuevo y original, transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), a estrenar y original

EUR 0.0086-0.0515

Pedido mínimo: 20 unidades

Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), nuevo y original, a prueba de agua, a prueba de golpes - Product Image 1

Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), nuevo y original, a prueba de agua, a prueba de golpes - Product Image 2

Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), nuevo y original, a prueba de agua, a prueba de golpes - Product Image 3

Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), nuevo y original, a prueba de agua, a prueba de golpes - Product Image 4

Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), nuevo y original, a prueba de agua, a prueba de golpes - Product Image 5

Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), nuevo y original, a prueba de agua, a prueba de golpes - Product Image 6

Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), nuevo y original, a prueba de agua, a prueba de golpes

EUR 0.0258-0.1114

Pedido mínimo: 10 unidades

Componente electrónico de triodo semiconductor de transistor WSF60N06 de alta estabilidad CZSKU:FW63AZ82 - Product Image 1

Componente electrónico de triodo semiconductor de transistor WSF60N06 de alta estabilidad CZSKU:FW63AZ82 - Product Image 2

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Componente electrónico de triodo semiconductor de transistor WSF60N06 de alta estabilidad CZSKU:FW63AZ82

EUR 0.1114-0.1886

Pedido mínimo: 1 unidad

Inductor de Potencia AISC-0603-R39G-T SMD, 1.1x1.8mm (Inductancia: 390nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 100mA) - Product Image 1

Inductor de Potencia AISC-0603-R39G-T SMD, 1.1x1.8mm (Inductancia: 390nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 100mA) - Product Image 2

Inductor de Potencia AISC-0603-R39G-T SMD, 1.1x1.8mm (Inductancia: 390nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 100mA) - Product Image 3

Inductor de Potencia AISC-0603-R39G-T SMD, 1.1x1.8mm (Inductancia: 390nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 100mA) - Product Image 4

Inductor de Potencia AISC-0603-R39G-T SMD, 1.1x1.8mm (Inductancia: 390nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 100mA) - Product Image 5

Inductor de Potencia AISC-0603-R39G-T SMD, 1.1x1.8mm (Inductancia: 390nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 100mA) - Product Image 6

Inductor de Potencia AISC-0603-R39G-T SMD, 1.1x1.8mm (Inductancia: 390nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 100mA)

EUR 0.1457-0.5742

Pedido mínimo: 1 unidad

Inductor de Potencia LQW2BASR22G00L 0805 (Inductancia: 220nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 400mA) - Product Image 1

Inductor de Potencia LQW2BASR22G00L 0805 (Inductancia: 220nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 400mA) - Product Image 2

Inductor de Potencia LQW2BASR22G00L 0805 (Inductancia: 220nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 400mA) - Product Image 3

Inductor de Potencia LQW2BASR22G00L 0805 (Inductancia: 220nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 400mA) - Product Image 4

Inductor de Potencia LQW2BASR22G00L 0805 (Inductancia: 220nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 400mA) - Product Image 5

Inductor de Potencia LQW2BASR22G00L 0805 (Inductancia: 220nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 400mA) - Product Image 6

Inductor de Potencia LQW2BASR22G00L 0805 (Inductancia: 220nH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 400mA)

EUR 0.0343-0.1629

Pedido mínimo: 5 unidades

Transistor de Efecto de Campo (MOSFET) Original-Nuevo 20P03-VB TO-252-2, Venta al por Mayor de Componentes Electrónicos y Servicio BOM - Product Image 1

Transistor de Efecto de Campo (MOSFET) Original-Nuevo 20P03-VB TO-252-2, Venta al por Mayor de Componentes Electrónicos y Servicio BOM - Product Image 2

Transistor de Efecto de Campo (MOSFET) Original-Nuevo 20P03-VB TO-252-2, Venta al por Mayor de Componentes Electrónicos y Servicio BOM - Product Image 3

Transistor de Efecto de Campo (MOSFET) Original-Nuevo 20P03-VB TO-252-2, Venta al por Mayor de Componentes Electrónicos y Servicio BOM - Product Image 4

Transistor de Efecto de Campo (MOSFET) Original-Nuevo 20P03-VB TO-252-2, Venta al por Mayor de Componentes Electrónicos y Servicio BOM - Product Image 5

Transistor de Efecto de Campo (MOSFET) Original-Nuevo 20P03-VB TO-252-2, Venta al por Mayor de Componentes Electrónicos y Servicio BOM - Product Image 6

Transistor de Efecto de Campo (MOSFET) Original-Nuevo 20P03-VB TO-252-2, Venta al por Mayor de Componentes Electrónicos y Servicio BOM

EUR 0.2228-0.8655

Pedido mínimo: 1 unidad

BDFN2C071V Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), original y nuevo - Product Image 1

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BDFN2C071V Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), original y nuevo - Product Image 3

BDFN2C071V Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), original y nuevo - Product Image 4

BDFN2C071V Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), original y nuevo - Product Image 5

BDFN2C071V Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), original y nuevo - Product Image 6

BDFN2C071V Transistor ESD y protección contra sobretensiones (TVS/ESD), original y nuevo

EUR 0.0172-0.06

Pedido mínimo: 20 unidades

Inductor SMD FEC1008CP-1R0G-LRH 1008 (Inductancia: 1uH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 370mA) - Product Image 1

Inductor SMD FEC1008CP-1R0G-LRH 1008 (Inductancia: 1uH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 370mA) - Product Image 2

Inductor SMD FEC1008CP-1R0G-LRH 1008 (Inductancia: 1uH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 370mA) - Product Image 3

Inductor SMD FEC1008CP-1R0G-LRH 1008 (Inductancia: 1uH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 370mA) - Product Image 4

Inductor SMD FEC1008CP-1R0G-LRH 1008 (Inductancia: 1uH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 370mA) - Product Image 5

Inductor SMD FEC1008CP-1R0G-LRH 1008 (Inductancia: 1uH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 370mA) - Product Image 6

Inductor SMD FEC1008CP-1R0G-LRH 1008 (Inductancia: 1uH) (Precisión: 2%) (Corriente Nominal: 370mA)

EUR 0.0343-0.1457

Pedido mínimo: 1 unidad