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MCP6001T-E/OTVAO Proveedores Originales de Componentes Electrónicos Circuitos Integrados IC OPAMP GP 1 CIRCUITO SOT23-5

EUR 0.1678
MOQ: 100 unidades
IC ONLINE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK3.4/5.0(6)
M66312FP nuevo original, muy vendido, de alta demanda en automatización. - Product Image 1
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M66312FP nuevo original, muy vendido, de alta demanda en automatización.

EUR 1.33-5.75
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
Microcontrolador M37471E8SP, Chip IC, Unidad de Control Integrada, Paquete DIP, Aplicación Industrial - Product Image 1
Microcontrolador M37471E8SP, Chip IC, Unidad de Control Integrada, Paquete DIP, Aplicación Industrial - Product Image 2
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Microcontrolador M37471E8SP, Chip IC, Unidad de Control Integrada, Paquete DIP, Aplicación Industrial - Product Image 5
Microcontrolador M37471E8SP, Chip IC, Unidad de Control Integrada, Paquete DIP, Aplicación Industrial - Product Image 6

Microcontrolador M37471E8SP, Chip IC, Unidad de Control Integrada, Paquete DIP, Aplicación Industrial

EUR 1.33-5.75
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
M5M5256BFP-85LL Memoria SRAM de 256Kb, Circuito Integrado de Memoria de 32K x8, 85ns, CMOS de Bajo Consumo, Componente Electrónico en Formato SOP - Product Image 1
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EUR 1.33-5.75
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
M5M4464AL-10 Memoria DRAM de 64Kbit, Acceso Rápido 100ns, Bajo Consumo, Paquete DIP, Componente de Circuito Electrónico - Product Image 1
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M5M4464AL-10 Memoria DRAM de 64Kbit, Acceso Rápido 100ns, Bajo Consumo, Paquete DIP, Componente de Circuito Electrónico

EUR 1.33-5.75
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
M5M41000BJ-7 Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 1
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M5M41000BJ-7 Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico

EUR 1.33-5.75
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
M5M44265CTP-6 Circuito Integrado de Memoria SRAM de 256Kb, 32K x8, 100ns, CMOS, Alto Rendimiento, Componente Electrónico SOP - Product Image 1
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M5M44265CTP-6 Circuito Integrado de Memoria SRAM de 256Kb, 32K x8, 100ns, CMOS, Alto Rendimiento, Componente Electrónico SOP - Product Image 4
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M5M44265CTP-6 Circuito Integrado de Memoria SRAM de 256Kb, 32K x8, 100ns, CMOS, Alto Rendimiento, Componente Electrónico SOP

EUR 1.33-5.75
MOQ: 1 unidad
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
M5M51008BFP-10VLL Memoria SRAM de 256Kb, Circuito Integrado de Memoria CMOS de 32K x8 100ns de Alto Rendimiento, Componente Electrónico SOP - Product Image 1
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M5M51008BFP-10VLL Memoria SRAM de 256Kb, Circuito Integrado de Memoria CMOS de 32K x8 100ns de Alto Rendimiento, Componente Electrónico SOP - Product Image 3
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M5M51008BFP-10VLL Memoria SRAM de 256Kb, Circuito Integrado de Memoria CMOS de 32K x8 100ns de Alto Rendimiento, Componente Electrónico SOP

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