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Componentes de electronica

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Chip de memoria DDR3L SDRAMN de 4Gb original, circuitos integrados, componentes electrónicos, P, 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2 - Product Image 1
Chip de memoria DDR3L SDRAMN de 4Gb original, circuitos integrados, componentes electrónicos, P, 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2 - Product Image 2
Chip de memoria DDR3L SDRAMN de 4Gb original, circuitos integrados, componentes electrónicos, P, 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2 - Product Image 3
Chip de memoria DDR3L SDRAMN de 4Gb original, circuitos integrados, componentes electrónicos, P, 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2 - Product Image 4
Chip de memoria DDR3L SDRAMN de 4Gb original, circuitos integrados, componentes electrónicos, P, 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2 - Product Image 5
Chip de memoria DDR3L SDRAMN de 4Gb original, circuitos integrados, componentes electrónicos, P, 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2 - Product Image 6

Chip de memoria DDR3L SDRAMN de 4Gb original, circuitos integrados, componentes electrónicos, P, 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2

EUR 2.33-2.59
MOQ: 1 unidad
Ruishengda Information Technology Co., Limited
4 yrsHK flagHK4.7/5.0(51)
Convertidor de fuente de alimentación Soporte BOM nuevo y original - Product Image 1

Convertidor de fuente de alimentación Soporte BOM nuevo y original

EUR 86.88
MOQ: 1 unidad
XINKEY ELECTRONICS CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.1/5.0(6)
SA534883-04/EL4-50R Genuine Electronic Components Module - Product Image 1
SA534883-04/EL4-50R Genuine Electronic Components Module - Product Image 2
SA534883-04/EL4-50R Genuine Electronic Components Module - Product Image 3
SA534883-04/EL4-50R Genuine Electronic Components Module - Product Image 4
SA534883-04/EL4-50R Genuine Electronic Components Module - Product Image 5
SA534883-04/EL4-50R Genuine Electronic Components Module - Product Image 6

SA534883-04/EL4-50R Genuine Electronic Components Module

EUR 0.0878
MOQ: 1 unidad
TECHKEY ELECTRONICS LIMITED
5 yrsHK flagHK5.0/5.0(9)
W25Q128JWPIQ Original 1,8 V 128M-bit chip de memoria flash serie Circuitos integrados componentes electrónicos W25Q128JWPIQ - Product Image 1
W25Q128JWPIQ Original 1,8 V 128M-bit chip de memoria flash serie Circuitos integrados componentes electrónicos W25Q128JWPIQ - Product Image 2
W25Q128JWPIQ Original 1,8 V 128M-bit chip de memoria flash serie Circuitos integrados componentes electrónicos W25Q128JWPIQ - Product Image 3
W25Q128JWPIQ Original 1,8 V 128M-bit chip de memoria flash serie Circuitos integrados componentes electrónicos W25Q128JWPIQ - Product Image 4
W25Q128JWPIQ Original 1,8 V 128M-bit chip de memoria flash serie Circuitos integrados componentes electrónicos W25Q128JWPIQ - Product Image 5
W25Q128JWPIQ Original 1,8 V 128M-bit chip de memoria flash serie Circuitos integrados componentes electrónicos W25Q128JWPIQ - Product Image 6

W25Q128JWPIQ Original 1,8 V 128M-bit chip de memoria flash serie Circuitos integrados componentes electrónicos W25Q128JWPIQ

EUR 0.4651-0.5002
MOQ: 1 unidad
Ruishengda Information Technology Co., Limited
4 yrsHK flagHK4.7/5.0(51)
Componentes electrónicos SPC58EE84E7QMSAR - Product Image 1
Componentes electrónicos SPC58EE84E7QMSAR - Product Image 2
Componentes electrónicos SPC58EE84E7QMSAR - Product Image 3
Componentes electrónicos SPC58EE84E7QMSAR - Product Image 4
Componentes electrónicos SPC58EE84E7QMSAR - Product Image 5
Componentes electrónicos SPC58EE84E7QMSAR - Product Image 6

Componentes electrónicos SPC58EE84E7QMSAR

EUR 0.0176-0.6582
MOQ: 1 unidad
QUATTRO TECHNOLOGY CO., LIMITED
11 yrsHK flagHK4.9/5.0(34)
FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 Transistor de efecto de campo MOS de canal N - Product Image 1
FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 Transistor de efecto de campo MOS de canal N - Product Image 2
FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 Transistor de efecto de campo MOS de canal N - Product Image 3
FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 Transistor de efecto de campo MOS de canal N - Product Image 4
FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 Transistor de efecto de campo MOS de canal N - Product Image 5
FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 Transistor de efecto de campo MOS de canal N - Product Image 6

FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 120A600V 378W TO247 Transistor de efecto de campo MOS de canal N

EUR 0.4388-0.8775
MOQ: 5 unidades
SOUTHERN ELECTRONICS TECH LIMITED
2 yrsHK flagHK4.9/5.0(28)
Generador de Reloj Texas Instruments LMX2306TMX/NOPB, Entrada de 25MHz a 550MHz, 16 Pines, TSSOP - Product Image 1
Generador de Reloj Texas Instruments LMX2306TMX/NOPB, Entrada de 25MHz a 550MHz, 16 Pines, TSSOP - Product Image 2
Generador de Reloj Texas Instruments LMX2306TMX/NOPB, Entrada de 25MHz a 550MHz, 16 Pines, TSSOP - Product Image 3

Generador de Reloj Texas Instruments LMX2306TMX/NOPB, Entrada de 25MHz a 550MHz, 16 Pines, TSSOP

EUR 5.71
MOQ: 1 unidad
HK STORY ENTERPRISE LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(28)
LF355N lote de 18 piezas Amplificadores operacionales NACIONALES 1 canal 2,5 Mhz - Product Image 1

LF355N lote de 18 piezas Amplificadores operacionales NACIONALES 1 canal 2,5 Mhz

EUR 48.27
MOQ: 2 unidades
RAMOS S.R.L.
7 yrsIT flagIT

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