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M5M27C256K 15 256Kb Memoria EPROM IC 32K x8 CMOS Borrable por UV DIP-28 Componente Electrónico

EUR 1.34-5.79
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
Circuito Integrado de Procesamiento de Audio M51387P, Amplificador, Control de Señal, Componente Electrónico, Paquete DIP - Product Image 1
Circuito Integrado de Procesamiento de Audio M51387P, Amplificador, Control de Señal, Componente Electrónico, Paquete DIP - Product Image 2
Circuito Integrado de Procesamiento de Audio M51387P, Amplificador, Control de Señal, Componente Electrónico, Paquete DIP - Product Image 3
Circuito Integrado de Procesamiento de Audio M51387P, Amplificador, Control de Señal, Componente Electrónico, Paquete DIP - Product Image 4
Circuito Integrado de Procesamiento de Audio M51387P, Amplificador, Control de Señal, Componente Electrónico, Paquete DIP - Product Image 5
Circuito Integrado de Procesamiento de Audio M51387P, Amplificador, Control de Señal, Componente Electrónico, Paquete DIP - Product Image 6

Circuito Integrado de Procesamiento de Audio M51387P, Amplificador, Control de Señal, Componente Electrónico, Paquete DIP

EUR 1.34-5.79
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
M52721SP Circuito Integrado de Procesamiento de Señales Analógicas, Componente Electrónico de Comunicación - Product Image 1
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M52721SP Circuito Integrado de Procesamiento de Señales Analógicas, Componente Electrónico de Comunicación - Product Image 4
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M52721SP Circuito Integrado de Procesamiento de Señales Analógicas, Componente Electrónico de Comunicación - Product Image 6

M52721SP Circuito Integrado de Procesamiento de Señales Analógicas, Componente Electrónico de Comunicación

EUR 1.34-5.79
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
M30612SGP Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 1
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M30612SGP Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 4
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M30612SGP Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico

EUR 1.34-5.79
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
Multímetro Digital TASI TA801B de Pantalla Completa, Recargable, con Funciones Completas, 6000 Contenedores, Rango Automático, como Probador de Voltaje sin Contacto - Product Image 1
Multímetro Digital TASI TA801B de Pantalla Completa, Recargable, con Funciones Completas, 6000 Contenedores, Rango Automático, como Probador de Voltaje sin Contacto - Product Image 2
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Multímetro Digital TASI TA801B de Pantalla Completa, Recargable, con Funciones Completas, 6000 Contenedores, Rango Automático, como Probador de Voltaje sin Contacto

EUR 10.75-11.64
MOQ: 1 unidad
TASI Electronics (Hong Kong) Co., Limited
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(9)
Multímetro Digital TASI TA801C para Reparación de Teléfonos Móviles, Multímetro de Alta Precisión con Detección de Temperatura - Product Image 1
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Multímetro Digital TASI TA801C para Reparación de Teléfonos Móviles, Multímetro de Alta Precisión con Detección de Temperatura - Product Image 6

Multímetro Digital TASI TA801C para Reparación de Teléfonos Móviles, Multímetro de Alta Precisión con Detección de Temperatura

EUR 10.74-11.64
MOQ: 1 unidad
TASI Electronics (Hong Kong) Co., Limited
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(9)
Módulo de pantalla LCD TFT LS060B3SX01 de 6 pulgadas 1080*2220, pantalla LCD TFT en stock - Product Image 1
Módulo de pantalla LCD TFT LS060B3SX01 de 6 pulgadas 1080*2220, pantalla LCD TFT en stock - Product Image 2
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Módulo de pantalla LCD TFT LS060B3SX01 de 6 pulgadas 1080*2220, pantalla LCD TFT en stock - Product Image 6

Módulo de pantalla LCD TFT LS060B3SX01 de 6 pulgadas 1080*2220, pantalla LCD TFT en stock

EUR 26.68
MOQ: 1 unidad
MEGA SOURCE ELEC. LIMITED
3 yrsHK flagHK4.9/5.0(23)
M52311FP Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 1
M52311FP Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 2
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M52311FP Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico

EUR 1.34-5.79
MOQ: 10 unidades
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