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Tarjeta de Memoria Extreme Pro SDXC UHS-I de 1 TB, V30, 250 MB/s de Lectura, 170 MB/s de Escritura, para Cámara, SDSDXXJ-1T00-GSCIN - Product Image 1

Tarjeta de Memoria Extreme Pro SDXC UHS-I de 1 TB, V30, 250 MB/s de Lectura, 170 MB/s de Escritura, para Cámara, SDSDXXJ-1T00-GSCIN

EUR 216.99-283.42
MOQ: 100 unidades
MORGAN POWER TRADING COMPANY
11 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
Cerradura de Puerta Inteligente Sinon Tuya con Huella Dactilar Compatible con Matter y Apple HomeKit - Product Image 1
Cerradura de Puerta Inteligente Sinon Tuya con Huella Dactilar Compatible con Matter y Apple HomeKit - Product Image 2
Cerradura de Puerta Inteligente Sinon Tuya con Huella Dactilar Compatible con Matter y Apple HomeKit - Product Image 3
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Cerradura de Puerta Inteligente Sinon Tuya con Huella Dactilar Compatible con Matter y Apple HomeKit - Product Image 5
Cerradura de Puerta Inteligente Sinon Tuya con Huella Dactilar Compatible con Matter y Apple HomeKit - Product Image 6

Cerradura de Puerta Inteligente Sinon Tuya con Huella Dactilar Compatible con Matter y Apple HomeKit

EUR 15.95-33.66
MOQ: 1 unidad
SINON SHENG SHI INDUSTRY CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.9/5.0(65)
M5M44260CTP-6S Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 1
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M5M44260CTP-6S Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 3
M5M44260CTP-6S Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 4
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M5M44260CTP-6S Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico

EUR 1.33-5.76
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
M5M5408FP-70LL Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 1
M5M5408FP-70LL Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 2
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M5M5408FP-70LL Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 4
M5M5408FP-70LL Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 5
M5M5408FP-70LL Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 6

M5M5408FP-70LL Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico

EUR 1.33-5.76
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
M5M5256DVP-70LL-I Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 1
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M5M5256DVP-70LL-I Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 3
M5M5256DVP-70LL-I Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 4
M5M5256DVP-70LL-I Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 5
M5M5256DVP-70LL-I Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico - Product Image 6

M5M5256DVP-70LL-I Circuito Integrado de Memoria SRAM de 1Mb, 128K x8, CMOS, Alta Velocidad, Bajo Consumo, Componente Electrónico

EUR 1.33-5.76
MOQ: 10 unidades
Techbridge Co., Limited
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
SSD NVMe M.2 de 256GB-2TB NV3 para SN740/2650 Enterprise PCIe 4.0, 5000MB/s de Lectura/3000-6900MB/s de Escritura, Carcasa de Metal y Plástico, Rápido - Product Image 1
SSD NVMe M.2 de 256GB-2TB NV3 para SN740/2650 Enterprise PCIe 4.0, 5000MB/s de Lectura/3000-6900MB/s de Escritura, Carcasa de Metal y Plástico, Rápido - Product Image 2
SSD NVMe M.2 de 256GB-2TB NV3 para SN740/2650 Enterprise PCIe 4.0, 5000MB/s de Lectura/3000-6900MB/s de Escritura, Carcasa de Metal y Plástico, Rápido - Product Image 3

SSD NVMe M.2 de 256GB-2TB NV3 para SN740/2650 Enterprise PCIe 4.0, 5000MB/s de Lectura/3000-6900MB/s de Escritura, Carcasa de Metal y Plástico, Rápido

EUR 29.23-1,062.81
MOQ: 1 unidad
RICHSHINE TECHNOLOGY CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.5/5.0(3)
CFast 2,0 SATA Gen3 128GB SLC SSD Bajo consumo de energía con 2M Horas Tiempo medio entre fallas Tipo de producto Tarjetas de memoria - Product Image 1
CFast 2,0 SATA Gen3 128GB SLC SSD Bajo consumo de energía con 2M Horas Tiempo medio entre fallas Tipo de producto Tarjetas de memoria - Product Image 2
CFast 2,0 SATA Gen3 128GB SLC SSD Bajo consumo de energía con 2M Horas Tiempo medio entre fallas Tipo de producto Tarjetas de memoria - Product Image 3
CFast 2,0 SATA Gen3 128GB SLC SSD Bajo consumo de energía con 2M Horas Tiempo medio entre fallas Tipo de producto Tarjetas de memoria - Product Image 4
CFast 2,0 SATA Gen3 128GB SLC SSD Bajo consumo de energía con 2M Horas Tiempo medio entre fallas Tipo de producto Tarjetas de memoria - Product Image 5
CFast 2,0 SATA Gen3 128GB SLC SSD Bajo consumo de energía con 2M Horas Tiempo medio entre fallas Tipo de producto Tarjetas de memoria - Product Image 6

CFast 2,0 SATA Gen3 128GB SLC SSD Bajo consumo de energía con 2M Horas Tiempo medio entre fallas Tipo de producto Tarjetas de memoria

EUR 15.68-214.25
MOQ: 10 unidades
Agrade Storage International Corporation Limited
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(23)
Unidad Flash USB Industrial cl s, Modelo UB23, MLC/aSLC/SLC, 4GB-256GB, USB2.0, 34MB/s, Rango de Temperatura de Escritura 0 ° C a 70 ° C - Product Image 1
Unidad Flash USB Industrial cl s, Modelo UB23, MLC/aSLC/SLC, 4GB-256GB, USB2.0, 34MB/s, Rango de Temperatura de Escritura 0 ° C a 70 ° C - Product Image 2
Unidad Flash USB Industrial cl s, Modelo UB23, MLC/aSLC/SLC, 4GB-256GB, USB2.0, 34MB/s, Rango de Temperatura de Escritura 0 ° C a 70 ° C - Product Image 3
Unidad Flash USB Industrial cl s, Modelo UB23, MLC/aSLC/SLC, 4GB-256GB, USB2.0, 34MB/s, Rango de Temperatura de Escritura 0 ° C a 70 ° C - Product Image 4
Unidad Flash USB Industrial cl s, Modelo UB23, MLC/aSLC/SLC, 4GB-256GB, USB2.0, 34MB/s, Rango de Temperatura de Escritura 0 ° C a 70 ° C - Product Image 5
Unidad Flash USB Industrial cl s, Modelo UB23, MLC/aSLC/SLC, 4GB-256GB, USB2.0, 34MB/s, Rango de Temperatura de Escritura 0 ° C a 70 ° C - Product Image 6

Unidad Flash USB Industrial cl s, Modelo UB23, MLC/aSLC/SLC, 4GB-256GB, USB2.0, 34MB/s, Rango de Temperatura de Escritura 0 ° C a 70 ° C

EUR 12.85-72.90
MOQ: 10 unidades
Agrade Storage International Corporation Limited
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(23)

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